Semi-conducteurs. Page 175 sur 485. Avtronic

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: IRF740-ST à IRF9520 (Page 175 sur 485)

Transistor IRF740-ST

3.98€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 400V 10A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 400V. Id(@25ºC): 10A. Puissance: 125W. Résistance Rds: 0.46 Ohms. PowerMESH ll MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -65°C à .+150°C.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF7413

3.19€ TTC

87 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 13A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.011 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF7413Z

2.58€ TTC

64 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 13A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.008 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF7416

3.53€ TTC

30 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 10A. Puissance: 2.5W. Résistance passante (Rds)<0.02 Ohms. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF7455

3.58€ TTC

42 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 15A. Puissance: 2.5W. Rds<0.0075 Ohm. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF7807

3.08€ TTC

60 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 8.3A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.017 Ohm. HEXFET. Boîtier: SO-8.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF7807V

3.58€ TTC

68 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 8.3A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.017 Ohm. HEXFET. Boîtier: SO-8.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF7807Z

3.19€ TTC

60 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 11A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.011 Ohm. HEXFET. Boîtier: SO-8.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRF7832PBF

2.69€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 30V 20A/160Ap 2.5W. Résistance passante RDSon : 0.031 Ohms (16A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRF8010

5.26€ TTC

69 En stock

Transistor MOSFET canal N 100V 80A/320Ap 260W 0.012R (57A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRF8010PBF. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220AB. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 100V. Id(T:25): 80A. Puissance: 260 W. Id(T:100): 57A. Id(imp): 320 Ap. Idss (min): 20 uA. Idss (max): 250 uA. Vg

Tarifs dégressifs

Transistor IRF8010S

7.22€ TTC

127 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 100V 80A/320Ap 260W 0.012R (57A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRF8010SPBF. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: D2PAK. Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 100V. Id(T:25): 80A. Puissance: 260 W. Id(T:100): 57A. Id(imp): 320 Ap. Idss

Tarifs dégressifs

Transistor IRF820

3.25€ TTC

112 En stock

Transistor IRF820 N-MOS 500V 2.5A 50W <3R(1.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 50 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF830

3.08€ TTC

41 En stock

Transistor IRF830 N-MOS 500V 4.5A 74W <1.5R(2.9A). HEXFET Power MOSFET. Switch Mode Power Supply (SMPS). Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.9 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF840

3.70€ TTC

123 En stock

Transistor IRF840 N-MOS 500V 8A 125W<0.85R(4.8A). V-MOS. L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. 56/104nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.8 A. Rds (Ohms): 0.85. Puissance: 125 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRF840A

4.70€ TTC

75 En stock

Transistor MOSFET canal N 500V 8A/32Ap 125W 0.85R (5.1A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRF840AS

5.10€ TTC

42 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 500V 8A/32Ap 125W 0.85R (5.1A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRF8707G

2.69€ TTC

40 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 11A 2.5W 0.119R. Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRF8707GPbF. Marquage boîtier: IRF8707G. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SO. Boîtier: SO-8. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 11A. Puissance: 2.5 W. Id(T:100): 9.1A. Id(imp): 88 Ap. Id

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9240

44.69€ TTC

25 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -11A. Puissance: 125W<0.05R(7A). Boîtier: TO3.

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9310

4.03€ TTC

59 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 20A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.02 Ohms. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-P IRF9510PBF

2.52€ TTC

44 En stock

Transistor MOSFET canal-P 100V 4A/16Ap 43W. Résistance passante RDSon : 1.2 Ohms (2.8A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRF9520

3.70€ TTC

17 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -6.8A. Puissance: 60W 0.6R(4.1A. Boîtier: TO-220AB.

Tarifs dégressifs

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Transistor IRF740-ST

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 400V 10A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 400V. Id(@25ºC): 10A. Puissance: 125W. Résistance Rds: 0.46 Ohms. PowerMESH ll MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -65°C à .+150°C.

Transistor IRF7413

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 13A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.011 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO8.

Transistor IRF7413Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 13A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.008 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO8.

Transistor IRF7416

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 10A. Puissance: 2.5W. Résistance passante (Rds)<0.02 Ohms. Boîtier: SO8.

Transistor IRF7455

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 15A. Puissance: 2.5W. Rds<0.0075 Ohm. Boîtier: SO8.

Transistor IRF7807

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 8.3A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.017 Ohm. HEXFET. Boîtier: SO-8.

Transistor IRF7807V

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 8.3A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.017 Ohm. HEXFET. Boîtier: SO-8.

Transistor IRF7807Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 11A. Puissance: 2.5W. Rds: 0.011 Ohm. HEXFET. Boîtier: SO-8.

Transistor MOSFET canal-N IRF7832PBF

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 30V 20A/160Ap 2.5W. Résistance passante RDSon : 0.031 Ohms (16A)

Transistor IRF8010

Transistor IRF8010S

Transistor IRF820

Transistor IRF820 N-MOS 500V 2.5A 50W <3R(1.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 50 W

Transistor IRF830

Transistor IRF830 N-MOS 500V 4.5A 74W <1.5R(2.9A). HEXFET Power MOSFET. Switch Mode Power Supply (SMPS). Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.9 A.

Transistor IRF840

Transistor IRF840 N-MOS 500V 8A 125W<0.85R(4.8A). V-MOS. L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. 56/104nS. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.8 A. Rds (Ohms): 0.85. Puissance: 125 W

Transistor IRF840A

Transistor MOSFET canal N 500V 8A/32Ap 125W 0.85R (5.1A)

Transistor IRF840AS

Transistor MOSFET canal N CMS 500V 8A/32Ap 125W 0.85R (5.1A)

Transistor IRF8707G

Transistor IRF9240

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -11A. Puissance: 125W<0.05R(7A). Boîtier: TO3.

Transistor IRF9310

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 20A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.02 Ohms. Boîtier: SO8.

Transistor MOSFET canal-P IRF9510PBF

Transistor MOSFET canal-P 100V 4A/16Ap 43W. Résistance passante RDSon : 1.2 Ohms (2.8A)

Transistor IRF9520

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